關(guān)鍵字：測(cè)試平臺(tái)  吉時(shí)利  半導(dǎo)體工藝 

我目前研究的課題是NBTI，目前在使用4200進(jìn)行測(cè)試，請(qǐng)問使用使用4200zui快的測(cè)試時(shí)間可以到達(dá)多快？

A1：如果用4200做測(cè)試，它的zui快采樣周期應(yīng)該是大于10個(gè)毫秒，如果用ACS加2600，我們可以做到zui快100個(gè)微妙的測(cè)試。

Q2：芯片越來(lái)越小，以后的晶片測(cè)試將如何完成？

A2：當(dāng)芯片越來(lái)越小，對(duì)測(cè)試來(lái)說(shuō)，會(huì)看到兩個(gè)趨勢(shì)，脈沖和快速的測(cè)試，脈沖主要是應(yīng)對(duì)像SOI，High-K材料這樣新工藝，對(duì)于快速測(cè)試來(lái)說(shuō)，我們可能要應(yīng)對(duì)NBTI或者是行進(jìn)間的擊穿這樣的現(xiàn)象。

Q3：請(qǐng)問有否關(guān)于Mosfet 的好的性能檢測(cè)方案？

A3：對(duì)于Mosfet來(lái)說(shuō)，您可能需要一些手動(dòng)參數(shù)的系統(tǒng)，吉時(shí)利4200是一個(gè)非常流行的好的解決方案，您可以通過(guò)4200配置若干個(gè)數(shù)字源表單元，就可以完成您的摩斯管的特定參數(shù)分析。

Q4：對(duì)于半導(dǎo)體器件壽命提前測(cè)試現(xiàn)今的主要手段是什么？

A4：目前zui可靠的手段是WLR，傳統(tǒng)的可靠性測(cè)試常常是在，把一個(gè)芯片分裝作成成產(chǎn)品之后再做測(cè)試，在這種情況下，如果您發(fā)現(xiàn)芯片有壽命問題，在整個(gè)過(guò)程中，您花費(fèi)的成本是非常大，我們現(xiàn)在往往會(huì)把可靠性測(cè)試往前提，就是說(shuō)把它提到在芯片制造過(guò)程中，就可以做一些可靠性測(cè)試，對(duì)于像Mosfet，現(xiàn)在有一些標(biāo)準(zhǔn)的測(cè)試項(xiàng)目，像講義中提到過(guò)的NBTI等，這些都是一些非常標(biāo)準(zhǔn)的WLR測(cè)試項(xiàng)目，然后可以通過(guò)對(duì)這些項(xiàng)目進(jìn)行檢測(cè)，就可以對(duì)半導(dǎo)體的壽命進(jìn)行提前預(yù)測(cè)。

Q5：stress 是由加的電流電壓的熱效應(yīng)引起的嗎？

A5：在可靠性測(cè)試中所謂的stress指的是加電壓或者是電流的偏壓，在時(shí)間上維持一個(gè)周期。由于stress會(huì)引起器件的很多變化，以HCI為例子，stress會(huì)引起器件的特性參數(shù)漂移，造成器件的損傷，或者有stress引起的物理或者是化學(xué)的效應(yīng)，熱效應(yīng)其實(shí)不是一個(gè)zui主要的原因。

Q6：ACS 測(cè)試系統(tǒng)可以在高5度和低溫-30度的環(huán)境下測(cè)試嗎？測(cè)試數(shù)據(jù)準(zhǔn)確度如何？

A6：我看到的測(cè)試系統(tǒng)，它能夠支持很高的溫度或者很低的溫度，通常情況下，我們會(huì)將我們的儀器置于溫度箱之外，就是說(shuō)我們的測(cè)試器件，控制器，計(jì)算機(jī)都會(huì)放在外面，您可以把器件放在溫度箱里或者探針臺(tái)內(nèi)。

Q7：請(qǐng)問在測(cè)試精度為uA時(shí)，測(cè)試的zui少時(shí)間為多少？

A7：如果您要做一個(gè)微安測(cè)試，您可以在100微妙內(nèi)完成。

Q8：我目前是4200的用戶，我對(duì)PUISE非常感興趣，請(qǐng)問4200的PIVzui高能夠輸出多大電壓脈沖？

A8：吉時(shí)利的PIV可以為客戶做到zui高72伏的電壓脈沖輸出