關(guān)鍵字:測試平臺 吉時利 半導(dǎo)體工藝
我目前研究的課題是NBTI,目前在使用4200進(jìn)行測試,請問使用使用4200zui快的測試時間可以到達(dá)多快?
A1:如果用4200做測試,它的zui快采樣周期應(yīng)該是大于10個毫秒,如果用ACS加2600,我們可以做到zui快100個微妙的測試。
Q2:芯片越來越小,以后的晶片測試將如何完成?
A2:當(dāng)芯片越來越小,對測試來說,會看到兩個趨勢,脈沖和快速的測試,脈沖主要是應(yīng)對像SOI,High-K材料這樣新工藝,對于快速測試來說,我們可能要應(yīng)對NBTI或者是行進(jìn)間的擊穿這樣的現(xiàn)象。
Q3:請問有否關(guān)于Mosfet 的好的性能檢測方案?
A3:對于Mosfet來說,您可能需要一些手動參數(shù)的系統(tǒng),吉時利4200是一個非常流行的好的解決方案,您可以通過4200配置若干個數(shù)字源表單元,就可以完成您的摩斯管的特定參數(shù)分析。
Q4:對于半導(dǎo)體器件壽命提前測試現(xiàn)今的主要手段是什么?
A4:目前zui可靠的手段是WLR,傳統(tǒng)的可靠性測試常常是在,把一個芯片分裝作成成產(chǎn)品之后再做測試,在這種情況下,如果您發(fā)現(xiàn)芯片有壽命問題,在整個過程中,您花費的成本是非常大,我們現(xiàn)在往往會把可靠性測試往前提,就是說把它提到在芯片制造過程中,就可以做一些可靠性測試,對于像Mosfet,現(xiàn)在有一些標(biāo)準(zhǔn)的測試項目,像講義中提到過的NBTI等,這些都是一些非常標(biāo)準(zhǔn)的WLR測試項目,然后可以通過對這些項目進(jìn)行檢測,就可以對半導(dǎo)體的壽命進(jìn)行提前預(yù)測。
Q5:stress 是由加的電流電壓的熱效應(yīng)引起的嗎?
A5:在可靠性測試中所謂的stress指的是加電壓或者是電流的偏壓,在時間上維持一個周期。由于stress會引起器件的很多變化,以HCI為例子,stress會引起器件的特性參數(shù)漂移,造成器件的損傷,或者有stress引起的物理或者是化學(xué)的效應(yīng),熱效應(yīng)其實不是一個zui主要的原因。
Q6:ACS 測試系統(tǒng)可以在高5度和低溫-30度的環(huán)境下測試嗎?測試數(shù)據(jù)準(zhǔn)確度如何?
A6:我看到的測試系統(tǒng),它能夠支持很高的溫度或者很低的溫度,通常情況下,我們會將我們的儀器置于溫度箱之外,就是說我們的測試器件,控制器,計算機(jī)都會放在外面,您可以把器件放在溫度箱里或者探針臺內(nèi)。
Q7:請問在測試精度為uA時,測試的zui少時間為多少?
A7:如果您要做一個微安測試,您可以在100微妙內(nèi)完成。
Q8:我目前是4200的用戶,我對PUISE非常感興趣,請問4200的PIVzui高能夠輸出多大電壓脈沖?
A8:吉時利的PIV可以為客戶做到zui高72伏的電壓脈沖輸出
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